Phân tích nhiễu xạ điện tử vùng chọn lọc
Phân tích nhiễu xạ điện tử vùng chọn lọc (SAED) là một kỹ thuật tinh thể học trong kính hiển vi điện tử truyền qua, thu được các mẫu nhiễu xạ điện tử từ các vùng tinh thể có kích thước micromet hoặc dưới micromet. Được phát triển từ các nguyên lý cơ bản về hành vi sóng điện tử và tích hợp vào các thiết bị TEM vào giữa thế kỷ 20, SAED cho phép quan sát trực tiếp không gian đối nghịch, đối xứng tinh thể và cấu trúc khuyết tật với độ phân giải không gian mà nhiễu xạ tia X không đạt được. Kỹ thuật này rất cần thiết để nghiên cứu cấu trúc tinh thể cục bộ, nhận dạng pha và đặc trưng hóa vật liệu nano.
Đọc toàn bộ phương pháp
Đăng nhập bằng tài khoản miễn phí để đọc phần này.
Method map
The neighbourhood of related methods — select a node to explore.
Nguồn tài liệu
- Williams, D. B., & Carter, C. B. (2009). Transmission Electron Microscopy: A Textbook for Materials Science (2nd ed.). Springer. DOI: 10.1007/978-0-387-76501-3 ↗
- Cullity, B. D., & Stock, S. R. (2014). Elements of X-ray Diffraction (3rd ed.). Pearson Education. link ↗
- Hirsch, P. B., Howie, A., Nicholson, R. B., Pashley, D. W., & Whelan, M. J. (1977). Electron Microscopy of Thin Crystals (2nd ed.). Butterworths. link ↗
Cách trích dẫn trang này
ScholarGate. (2026, June 3). Selected Area Electron Diffraction (SAED). ScholarGate. https://scholargate.app/vi/materials-science/selected-area-electron-diffraction
Which method?
Set this method beside its closest kin and read them side by side — the library lays the books on the table; the choice is yours.
- Kính hiển vi lực nguyên tửKhoa học vật liệu↔ compare
- Phổ tán sắc năng lượng tia XKhoa học vật liệu↔ compare
- Tinh luyện Rietveld bằng nhiễu xạ tia X (XRD)Khoa học vật liệu↔ compare
Được tham chiếu bởi
Phát hiện lỗi trên trang này? Báo cáo hoặc đề xuất chỉnh sửa →