Elektronenbeugung im ausgewählten Bereich
Die Elektronenbeugung im ausgewählten Bereich (SAED) ist eine kristallographische Technik in der Transmissionselektronenmikroskopie, die Elektronenbeugungsmuster von mikrometergroßen oder submikrometergroßen kristallinen Regionen liefert. SAED wurde aus den grundlegenden Prinzipien des Elektronenwellenverhaltens entwickelt und Mitte des 20. Jahrhunderts in TEM-Instrumente integriert. Sie ermöglicht die direkte Beobachtung des reziproken Raums, der Kristallsymmetrie und von Defektstrukturen mit einer räumlichen Auflösung, die mit der Röntgenbeugung nicht erreichbar ist. Sie ist unerlässlich für die Untersuchung lokaler Kristallstrukturen, die Phasenidentifizierung und die Charakterisierung von Nanomaterialien.
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Quellen
- Williams, D. B., & Carter, C. B. (2009). Transmission Electron Microscopy: A Textbook for Materials Science (2nd ed.). Springer. DOI: 10.1007/978-0-387-76501-3 ↗
- Cullity, B. D., & Stock, S. R. (2014). Elements of X-ray Diffraction (3rd ed.). Pearson Education. link ↗
- Hirsch, P. B., Howie, A., Nicholson, R. B., Pashley, D. W., & Whelan, M. J. (1977). Electron Microscopy of Thin Crystals (2nd ed.). Butterworths. link ↗
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ScholarGate. (2026, June 3). Selected Area Electron Diffraction (SAED). ScholarGate. https://scholargate.app/de/materials-science/selected-area-electron-diffraction
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