Mchanganuo wa Elektroni wa Eneo Lililochaguliwa

Mchanganuo wa Elektroni wa Eneo Lililochaguliwa (SAED) ni mbinu ya krisitografia katika upigaji picha wa elektroni unaopitisha ambao hupata ruwaza za mchanganuo wa elektroni kutoka kwa mikoa ya krisitografia yenye ukubwa wa mikroni au ndogo zaidi ya mikroni. Iliyotengenezwa kutoka kwa kanuni za msingi za tabia ya wimbi la elektroni na kuunganishwa katika ala za TEM katikati ya karne ya 20, SAED huwezesha uchunguzi wa moja kwa moja wa nafasi ya kurudi nyuma, ulinganifu wa krisitografia, na miundo ya kasoro kwa azimio la anga ambalo halipatikani na mchanganuo wa X-ray. Ni muhimu kwa kusoma muundo wa krisitografia wa ndani, utambulisho wa awamu, na kuainisha vifaa vya nanoscale.